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MURT20010

Mfr# MURT20010
Mfr. GeneSiC Semiconductor
Descrizione DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER
Stato RoHS A norma RoHS
Maggiori informazioni Scopri di più su GeneSiC Semiconductor MURT20010
Specifiche MURT20010.pdf

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Modello di prodotti MURT20010
fabbricante GeneSiC Semiconductor
Descrizione DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER
Stato Lead senza piombo / RoHS A norma RoHS
quantità disponibile 0 pcs
Specifiche MURT20010.pdf
Temperatura -55°C ~ 150°C
Ferro fornito, Tweezer, Maniglia 1.3 V @ 100 A
Dimensione guscio - inserto Three Tower
Inerzia del rotore 25 µA @ 50 V
Giudizi -
Carico minimo richiesto 1 Pair Common Cathode
Intervallo d'ingrandimento 100A
Lunghezza - Bobina estesa Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
isteresi Three Tower
terminazione cavo Standard
Materiale del conduttore 75 ns
Direzione lettura scheda 100 V
Lunghezza attuatore, angolo retto Chassis Mount

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